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IGBT是一种半导体器件，全称为Isolated Gate Bipolar Transistor隔离栅双极晶体管，因其结构和特性的不同，被广泛应用于高压、大电流、高频等工作环境下的电子设备中。
IGBT的核心是一个PNP型双极晶体管和一个N型MOSFET的复合结构，其外形类似于MOSFET，但具有双极晶体管的放大特性。
与其他半导体器件相比，IGBT具有低导通压降、高导通电流、温度稳定性好等优点，因此广泛应用于电力电子、电机控制、制冷设备、通信设备等领域。IGBT的出现为现代工业化生产提供了强有力的支持，可以大幅度提高工作效率、减少能量损失和成本，同时也为新能源产业的发展带来了无限的可能。
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