硅和锗的反向击穿电压

夜异常无心 1个月前 已收到2个回答 举报

羙人何处 4星

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硅管反向饱和电流远低于锗管的反向饱和电流(只有后者的百分之一左右),而且一般硅管的反向击穿电压也高于锗管。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。

2小时前

23

世勋我爱你 1星

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硅二极管正向约为0.7V,反向为标称耐压值。 锗二极管正向约为0.35V,反向为标称耐压值。

1小时前

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